HORIBA GR-511F 是一款專為半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計的晶圓背面冷卻系統(tǒng) 壓力控制器，主要用于在靜電吸盤（ESC）環(huán)境中控制氦氣或氬氣的背面壓力與流量，以保持晶圓背面的溫度均勻性與熱交換效率。

HORIBA GR-511F 晶圓背面冷卻系統(tǒng) 壓力控制器

產(chǎn)品簡介

HORIBA GR-511F 是一款專為半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計的晶圓背面冷卻系統(tǒng) 壓力控制器，主要用于在靜電吸盤（ESC）環(huán)境中控制氦氣或氬氣的背面壓力與流量，以保持晶圓背面的溫度均勻性與熱交換效率。這款產(chǎn)品融合了高精度壓力控制與可選質(zhì)量流量計功能，廣泛應(yīng)用于等離子體蝕刻、CVD、ALD 等工藝過程中，是提升工藝穩(wěn)定性和良率的關(guān)鍵設(shè)備。

核心優(yōu)勢

• 高精度壓力控制：支持 1% 至 100% 滿量程設(shè)定，控制精度高達(dá) ±0.5% 讀數(shù)，零點溫漂低。

• 可選質(zhì)量流量控制：流量輸出精準(zhǔn)，適用于高精度冷卻氣體需求。

• 快速響應(yīng)：響應(yīng)時間小于 1 秒，滿足半導(dǎo)體工藝快速切換的需求。

• 全面兼容：支持氦氣、氬氣、氮氣，接液材質(zhì)為 SUS316L，不銹鋼密封，適用于腐蝕性工藝環(huán)境。

• 靈活接口與安裝：模擬信號輸入輸出，支持任意方向安裝，方便集成至現(xiàn)有系統(tǒng)。

技術(shù)參數(shù)

• 控制介質(zhì)：氦氣（He）、氬氣（Ar）、氮氣（N?）

• 測量與控制功能：

• 壓力控制（標(biāo)準(zhǔn)配置）

• 質(zhì)量流量控制（選配）

• 壓力滿量程范圍：

• 1.333 kPa（10 Torr）

• 2.666 kPa（20 Torr）

• 6.666 kPa（50 Torr）

• 壓力控制范圍：1% ～ 100% F.S.

• 壓力精度：±0.5% 讀數(shù)

• 零點溫度系數(shù)：±0.04% F.S./℃，跨度溫度系數(shù) ±0.04% 讀數(shù)/℃

• 流量范圍（可選）：20 / 50 / 100 SCCM

• 流量精度：

• 25% F.S.：±1% 讀數(shù)

• ≤25% F.S.：±0.25% F.S.

• 接口信號：

• 輸入信號：0.1～10 VDC（壓力設(shè)定），可選 0.05～5 VDC

• 輸出信號：0～10 VDC 或 0～5 VDC（壓力 / 流量反饋）

• 供電電源：±15 VDC ±5%，電流各 250 mA，最大功耗 7.5 VA

• 響應(yīng)時間：≤ 1 秒

• 最高使用壓力：300 kPa（絕壓）

• 耐壓等級：350 kPa（絕壓）

• 氣密性：≤ 7 × 10?11 Pa·m3/s（氦檢漏）

• 工作環(huán)境溫度：5°C ～ 50°C（精度保證范圍為 15°C ～ 40°C）

• 安裝方式：任意方向，標(biāo)準(zhǔn) 1/4 英寸 VCR 或等效接口

• 接液材質(zhì)：SUS316L 不銹鋼

• 設(shè)備重量：約 1.5 kg

• 信號類型：模擬（Analog）

• RoHS 認(rèn)證：符合環(huán)保要求

應(yīng)用場景

• 半導(dǎo)體蝕刻機中的 ESC 背面冷卻

• CVD、ALD 等薄膜沉積設(shè)備溫控系統(tǒng)

• 靜電吸盤冷卻壓力閉環(huán)控制系統(tǒng)

• 需要高響應(yīng)、高精度氣體壓力控制的工藝